CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
零件编号
CGD65A055S2-T07
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
描述
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
USD $9.5400
数据表
数量
RFQ
库存:
最小 : 1000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
$15.0600
$15.0600
10
$13.2700
$132.7000
100
$11.4700
$1,147.0000
500
$10.4000
$5,200.0000
1000
$9.5400
$9,540.0000
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购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C27A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs77mOhm @ 2.2A, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 10mA
供应商设备包16-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs6 nC @ 12 V

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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