EPC2212

EPC2212

零件编号
EPC2212
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
EPC
描述
GANFET N-CH 100V 18A DIE
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
USD $1.3300
数据表
数量
RFQ
库存:
最小 : 2500
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
$1.9900
$1.9900
10
$1.6800
$16.8000
100
$1.3500
$135.0000
500
$1.3300
$665.0000
2500
$1.3300
$3,325.0000
替代型号
EPC2212
宜普-EPC
面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管
相似型号
EPC2215
宜普-EPC
200 V, 162 A增强型功率晶体管
EPC2216
宜普-EPC
面向车载应用的15 V、28 A增强型氮化镓功率晶体管
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65 V, 0.5 A增强型功率晶体管
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EPC2218A: Automotive 80 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC2218
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面向车载应用的80 V、47 A增强型氮化镓功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管
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购买及询价

规格

运输

数据表

ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。

类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包装卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds407 pF @ 50 V

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

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