TP65H070LSG

TP65H070LSG

零件编号
TP65H070LSG
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
封装
-
包装
管子
ROHS状态
No
价格
USD
数据表
数量
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数据表

ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。

类型描述
制造商Transphorm
系列TP65H070L
包装管子
产品状态DISCONTINUED
包装/箱3-PowerDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C25A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗（最大）96W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs9.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds600 pF @ 400 V

运输费


运费起价 40 美元，但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如（南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等）
基本运费（包裹≤0.5公斤或相应体积）取决于时区和国家。


邮寄方式


目前，我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后，预计交货时间取决于您选择的运输方式：

联邦快递国际，5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

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